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半导体晶圆检测设备制造过程分享

更新时间:2023-05-31      点击次数:274
   半导体晶圆制造过程可以归纳为三个基本步骤:
 
  硅提纯:将沙石原料放入一个温度约为2000 ℃、有碳源存在的电弧熔炉中,在高温下,碳和沙石中的二氧化硅进行化学反应(碳与氧结合,剩下硅),得到纯度约为98%的纯硅,又称作冶金级硅。
 
  单晶硅生长:将高纯度的多晶硅放在石英坩埚中,并用外面围绕着的石墨加热器不断加热,温度维持在大约400 ℃,炉中的气体通常是惰性气体,使多晶硅熔化,同时又不会产生不需要的化学反应。然后通过蒸馏和化学还原工艺,得到了高纯度的多晶硅,其纯度高达99.999999999%,成为电子级硅。
 
  晶圆成型:方法叫直拉法,用直拉法生长后,单晶棒将按适当的尺寸进行切割,然后进行研磨,将凹凸的切痕磨掉,再用化学机械抛光工艺使其至少一面光滑如镜,晶圆片制造就完成了。
 
  半导体晶圆检测设备主要用于半导体制造过程中检测芯片性能与缺陷。半导体检测设备贯穿于半导体生产过程中,可分为晶圆制造环节的检测设备和封测环节的检测设备。晶圆制造环节的检测设备主要用于外观检测,是一种物理性、功能性的测试。
 
  封测环节的检测设备主要用于测试芯片的性能和缺陷.
 
  半导体晶圆检测设备具有以下优点:
 
  适用性广:可适用于4—8英寸有图形晶圆。
 
  检测速度快:有图形晶圆:缺陷数量在200个以内的情况下,5分钟/片。
 
  检测精度高:系统分辨率:0.2-0.8μm。
 
  操作安全:在检测设备与开盒器之间建立一种通讯机制,彼此形成互锁。不但确保了操作安全性,防止人为失误,还能避免晶圆从晶舟散落出来,导致晶圆碎片的隐患。

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